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            氣相沉積爐(立式)

            產(chǎn)品簡(jiǎn)介

            氣相沉積爐(立式)是用于各種電介質(zhì),半導(dǎo)體和金屬材料的保護(hù)涂層的沉積的有力方式,無(wú)論是單晶,多晶,無(wú)定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過(guò)使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求,根據(jù)工藝參數(shù),可以有多種層厚度,從單個(gè)或幾個(gè)原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護(hù)層或功能層,以及厚度達(dá)100微米的單片部件,甚至高達(dá)數(shù)毫米。

            產(chǎn)品型號(hào):VVCgr-110/120-1600
            更新時(shí)間:2024-11-28
            廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
            訪問(wèn)量:12934
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            一、氣相沉積爐(立式)簡(jiǎn)介:
            熱誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積(英語(yǔ):chemical vapor deposition,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導(dǎo)體和金屬材料的保護(hù)涂層的沉積的有力方式,無(wú)論是單晶,多晶,無(wú)定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過(guò)使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求,根據(jù)工藝參數(shù),可以有多種層厚度,從單個(gè)或幾個(gè)原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護(hù)層或功能層,以及厚度達(dá)100微米的單片部件,甚至高達(dá)數(shù)毫米。

            熱誘導(dǎo)的化學(xué)氣相滲透(英語(yǔ):chemical vaporinfiltration,CVI)是一個(gè)與CVD有關(guān)的技術(shù),以在基體材料滲入多孔或纖維預(yù)成型件以制備由復(fù)合材料制成的部件具有改善的機(jī)械性能,耐腐蝕性,耐熱沖擊性和低殘余應(yīng)力。

            二、技術(shù)特點(diǎn):
            1.采用立式、底/頂開門結(jié)構(gòu):裝、卸料精度高,操作方便;
            2.采用先進(jìn)的控制技術(shù),能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動(dòng)范圍小;
            3.溫度均勻性好:平均溫度均勻性為±5℃;
            4.采用多通道沉積氣路,流場(chǎng)均勻,無(wú)沉積死角,沉積效果好;
            5.全封閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強(qiáng);
            6.安全性能好:采用HMI+PLC+PID程序控溫制,安全可靠;
            7.對(duì)沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點(diǎn)粘性產(chǎn)物能進(jìn)行有效處理;
            8.多級(jí)高效尾氣處理系統(tǒng),環(huán)境友好,能高效收集焦油及副產(chǎn)物,易清理;
            9.采用設(shè)計(jì)防腐蝕真空機(jī)組,持續(xù)工作時(shí)間長(zhǎng),維修率極低。

            三、設(shè)備規(guī)格:

            產(chǎn)品編號(hào)產(chǎn)品型號(hào)有效區(qū)尺寸(mm)冷態(tài)極限真空度(Pa)最高工作溫度(℃)適用工藝
            C4VGR16VVCgr-56/60-1600Φ560x60011600CVD/CVI
            C6VGR16VVCgr-84/90-1600Φ840x90011600CVD/CVI
            C8VGR16VVCgr-110/120-1600Φ1100x120011600CVD/CVI
            C10VGR16VVCgr-140/200-1600Φ1400x200011600CVD/CVI


            四、氣相沉積爐(立式)展示圖:

            氣相沉積爐(立式)




             

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